LÍNEA COAXIAL MODO TEM

a|Radio a [m]|Radio del conductor interior en m|1E-3
b|Radio b [m]|Radio del conductor exterior en m|3E-3
f|Frecuencia [Hz]|Frecuencia en Hz|1E6
e_r|Re[permitividad e] [F/m]|Parte real de la permitividad del dieléctrico en F/m|8.841941283E-12
e_i|Im[permitividad e] [F/m]|Parte imaginaria de la permitividad del dieléctrico en F/m|-8.841941283E-16
mu|Permeabilidad mu [H/m]|Permeabilidad mu del dieléctrico en H/m|1.256637061E-6
V0|V0 [V]|Amplitud de la onda de tensión en z=0|1.0
r|r [m]|Componente r de posición de medida (r tiene que pertenecer al intervalo [a,b])|2E-3
z|z [m]|Componente z de posición de medida|1.0
ca|Conductividad ca [S/m]|Conductividad del material del conductor interior en S/m|62893E3
cb|Conductividad cb [S/m]|Conductividad del material del conductor exterior en S/m|42553E3
z1|z1 [m]|Posición de medida z1|5.0
z2|z2 [m]|Posición de medida z2|6.0

k1|Factor k1 de V(r)|Factor k1 de V(r); V(r)=k1*Ln(r)+k2|V0/(ln(a)-ln(b))
k2|Factor k2 de V(r)|Factor k2 de V(r); V(r)=k1*Ln(r)+k2|-k1*ln(b)
V_r|V(r) [V]|V(r) [V] (con z=0)|k1*ln(r)+k2
tgd|Tangente de delta|Tangente de delta|-e_i/e_r
d|delta [radianes]|delta en radianes|arctan(tgd)
eta_r|Re[eta] [ohm]|Parte real de eta en ohm|1/2*sqrt(mu/e_r)*sqrt(2)*sqrt(cos(d)*(1+cos(d)))
eta_i|Im[eta] [ohm]|Parte imaginaria de eta en ohm|1/2*sqrt(mu/e_r)*sqrt(2)*sqrt(cos(d)*(1-cos(d)))
gamma_r|Re[gamma] [1/m]|Parte real de gamma en 1/m (sin pérdidas en conductores)|Pi*f*sqrt(mu*e_r)*sqrt(-2+2*sqrt(1+tgd^2))
gamma_i|Im[gamma] [1/m]|Parte imaginaria de gamma en 1/m|Pi*f*sqrt(mu*e_r)*sqrt(2+2*sqrt(1+tgd^2))
Etr|Re[Et(r,z)] [V/m]|Parte real del fasor campo eléctrico en dirección vector unitario r (sin pérdidas en conductores)|V0*exp(-gamma_r*z)*cos(gamma_i*z)/(r*ln(b/a))
Eti|Im[Et(r,z)] [V/m]|Parte imaginaria del fasor campo eléctrico en dirección vector unitario r (sin pérdidas en conductores)|-V0*exp(-gamma_r*z)*sin(gamma_i*z)/(r*ln(b/a))
mEt|Mod[Et(r,z)] [V/m]|Módulo del fasor campo eléctrico (sin pérdidas en conductores)|sqrt(Etr^2+Eti^2)
Htr|Re[Ht(r,z)] [A/m]|Parte real del fasor campo magnético en dirección vector unitario phi (sin pérdidas en conductores)|(exp(-gamma_r*z)*cos(gamma_i*z)*eta_r/(eta_r^2+eta_i^2)-exp(-gamma_r*z)*sin(gamma_i*z)*eta_i/(eta_r^2+eta_i^2))*V0/(r*ln(b/a))
Hti|Im[Ht(r,z)] [A/m]|Parte imaginaria del fasor campo magnético en dirección vector unitario phi (sin pérdidas en conductores)|(-exp(-gamma_r*z)*cos(gamma_i*z)*eta_i/(eta_r^2+eta_i^2)-exp(-gamma_r*z)*sin(gamma_i*z)*eta_r/(eta_r^2+eta_i^2))*V0/(r*ln(b/a))
mHt|Mod[Ht(r,z)] [A/m]|Módulo del fasor campo magnético (sin pérdidas en conductores)|sqrt(Htr^2+Hti^2)
Vr|Re[V(z)] [V]|Parte real de la onda de tensión en z (sin pérdidas en conductores)|V0*exp(-gamma_r*z)*cos(gamma_i*z)
Vi|Im[V(z)] [V]|Parte imaginaria de la onda de tensión en z (sin pérdidas en conductores)|-V0*exp(-gamma_r*z)*sin(gamma_i*z)
mV|Mod[V(z)] [V]|Módulo de la onda de tensión en z (sin pérdidas en conductores)|sqrt(Vr^2+Vi^2)
Ir|Re[I(z)] [A]|Parte real de la onda de corriente en z (sin pérdidas en conductores)|2*(exp(-gamma_r*z)*cos(gamma_i*z)*eta_r/(eta_r^2+eta_i^2)-exp(-gamma_r*z)*sin(gamma_i*z)*eta_i/(eta_r^2+eta_i^2))*Pi*V0/ln(b/a)
Ii|Im[I(z)] [A]|Parte imaginaria de la onda de corriente en z (sin pérdidas en conductores)|2*(-exp(-gamma_r*z)*cos(gamma_i*z)*eta_i/(eta_r^2+eta_i^2)-exp(-gamma_r*z)*sin(gamma_i*z)*eta_r/(eta_r^2+eta_i^2))*Pi*V0/ln(b/a)
mI|Mod[I(z)] [A]|Módulo de la onda de corriente en z (sin pérdidas en conductores)|sqrt(Ir^2+Ii^2)
Z0r|Re[Z0] [ohm]|Parte real de la impedancia característica (sin pérdidas en conductores)|1/2*eta_r*ln(b/a)/Pi
Z0i|Im[Z0] [ohm]|Parte imaginaria de la impedancia característica (sin pérdidas en conductores)|1/2*eta_i*ln(b/a)/Pi
kg|Factor geométrico kg|Factor geométrico kg|1/2*ln(b/a)/Pi
L|L [H/m]|L [H/m]|mu*kg
C|C [F/m]|C [F/m]|e_r/kg
G|G [S/m]|G [S/m]|-2*Pi*f*e_i/kg
da|da [m]|Profundidad de penetración en conductor interior|1/(sqrt(Pi*f*mu*ca))
db|db [m]|Profundidad de penetración en conductor exterior|1/(sqrt(Pi*f*mu*cb))
Wpc|Wpc(z) [W/m]|Pérdidas en los conductores en z en W/m|2*(1/2*1/(ca*da*a)+1/2*1/(cb*db*b))*Pi*V0^2*exp(-2*gamma_r*z)/((eta_r^2+eta_i^2)*ln(b/a)^2)
WT|WT(z) [W]|Potencia transmitida en z en W|Pi*V0^2*eta_r*exp(-2*gamma_r*z)/(ln(b/a)*(eta_r^2+eta_i^2))
alfac|alfac [Np/m]|Atenuación debida a los conductores en Np/m|(1/2*1/(ca*da*a)+1/2*1/(cb*db*b))/(eta_r*ln(b/a))
R|R [ohm/m]|R [ohm/m] (aproximación de alta frecuencia)|(1/2*1/(ca*da*a)+1/2*1/(cb*db*b))/Pi
gamma_rc|Re[gammac] [1/m]|Parte real de gamma en 1/m (con pérdidas en conductores)|gamma_r+alfac
Etrc|Re[Etc(r,z)] [V/m]|Parte real del fasor campo eléctrico en dirección vector unitario r (con pérdidas en conductores)|V0*exp(-gamma_rc*z)*cos(gamma_i*z)/(r*ln(b/a))
Etic|Im[Etc(r,z)] [V/m]|Parte imaginaria del fasor campo eléctrico en dirección vector unitario r (con pérdidas en conductores)|-V0*exp(-gamma_rc*z)*sin(gamma_i*z)/(r*ln(b/a))
mEtc|Mod[Etc(r,z)] [V/m]|Módulo del fasor campo eléctrico (con pérdidas en conductores)|sqrt(Etrc^2+Etic^2)
Htrc|Re[Htc(r,z)] [A/m]|Parte real del fasor campo magnético en dirección vector unitario phi (con pérdidas en conductores)|(exp(-gamma_rc*z)*cos(gamma_i*z)*eta_r/(eta_r^2+eta_i^2)-exp(-gamma_rc*z)*sin(gamma_i*z)*eta_i/(eta_r^2+eta_i^2))*V0/(r*ln(b/a))
Htic|Im[Htc(r,z)] [A/m]|Parte imaginaria del fasor campo magnético en dirección vector unitario phi (con pérdidas en conductores)|(-exp(-gamma_rc*z)*cos(gamma_i*z)*eta_i/(eta_r^2+eta_i^2)-exp(-gamma_rc*z)*sin(gamma_i*z)*eta_r/(eta_r^2+eta_i^2))*V0/(r*ln(b/a))
mHtc|Mod[Htc(r,z)] [A/m]|Módulo del fasor campo magnético (con pérdidas en conductores)|sqrt(Htrc^2+Htic^2)
Vrc|Re[Vc(z)] [V]|Parte real de la onda de tensión en z (con pérdidas en conductores)|V0*exp(-gamma_rc*z)*cos(gamma_i*z)
Vic|Im[Vc(z)] [V]|Parte imaginaria de la onda de tensión en z (con pérdidas en conductores)|-V0*exp(-gamma_rc*z)*sin(gamma_i*z)
mVc|Mod[Vc(z)] [V]|Módulo de la onda de tensión en z (con pérdidas en conductores)|sqrt(Vrc^2+Vic^2)
Irc|Re[Ic(z)] [A]|Parte real de la onda de corriente en z (con pérdidas en conductores)|2*(exp(-gamma_rc*z)*cos(gamma_i*z)*eta_r/(eta_r^2+eta_i^2)-exp(-gamma_rc*z)*sin(gamma_i*z)*eta_i/(eta_r^2+eta_i^2))*Pi*V0/ln(b/a)
Iic|Im[Ic(z)] [A]|Parte imaginaria de la onda de corriente en z (con pérdidas en conductores)|2*(-exp(-gamma_rc*z)*cos(gamma_i*z)*eta_i/(eta_r^2+eta_i^2)-exp(-gamma_rc*z)*sin(gamma_i*z)*eta_r/(eta_r^2+eta_i^2))*Pi*V0/ln(b/a)
mIc|Mod[Ic(z)] [A]|Módulo de la onda de corriente en z (con pérdidas en conductores)|sqrt(Irc^2+Iic^2)
Wpd|Wpd(z1,z2) [W]|Potencia disipada en el dieléctrico entre z1 y z2 (pérdidas de polarización)|-Pi^2*f*e_i*V0^2*(exp(-2*gamma_rc*z1)-exp(-2*gamma_rc*z2))/(gamma_rc*ln(b/a))
WH|WH(z1,z2) [J]|Valor medio de la energía magnética almacenada entre z1 y z2 en J|1/4*mu*Pi*V0^2*(exp(-2*gamma_rc*z1)-exp(-2*gamma_rc*z2))/(gamma_rc*ln(b/a)*(eta_r^2+eta_i^2))
WE|WE(z1,z2) [J]|Valor medio de la energía eléctrica almacenada entre z1 y z2 en J|1/4*e_r*Pi*V0^2*(exp(-2*gamma_rc*z1)-exp(-2*gamma_rc*z2))/(gamma_rc*ln(b/a))
BWmono|BW monomodo [Hz]|Ancho de banda monomodo en Hz (aproximación)|1/(Pi*(a+b)*sqrt(mu*e_r))

Genapplet v1.1 - 26/10/2005